模块一：超越硅的物理极限 —— 化合物半导体基础（黄汉森主讲）

本模块专注于 AXT 的核心技术壁垒，涵盖从晶格结构到晶圆制造的物理学原理。

• 能带结构与电子迁移率： 直接分析 InP 和 GaAs 的直接带隙（Direct Bandgap）特性，解释其在发光设备（激光器、LED）和高频电子设备（RF 射频放大器）中具备的高电光转换效率和高电子漂移速度。
• VGF（垂直梯度冷凝法）晶体生长技术： AXT 是商业化 VGF 技术的先驱。我们需要解析 VGF 相较于传统 LEC（液封直拉法）在热力学上的优势。重点计算分析低温度梯度如何降低热应力，从而实现更低的蚀刻坑密度（Etch Pit Density, EPD）和极低的晶格位错率。
• 晶圆尺寸缩放的工程挑战： 探讨 AXT 将 InP 晶圆从 4 英寸升级至 6 英寸，以及 GaAs 升级至 8 英寸的工艺难点。解析大尺寸单晶化合物在良率控制、边缘应力测试与切片工艺中的具体工程解决方案。

模块二：AI 算力基建与光互连需求（吴恩达主讲）

AXT 在 2026 年初实现了 InP 收入的激增。本模块将分析 AI 模型训练集群如何直接拉动底层衬底材料的消耗。

• 光收发器与数据中心带宽： 在构建万卡 GPU 集群时，传统的铜互连面临严重的带宽衰减与功耗物理极限。学习 800G 及 1.6T 光收发器的工作机制，以及为何高性能硅光子学（Silicon Photonics）必须依赖 InP 衬底制造的电吸收调制激光器（EML）作为核心光源。
• 终端市场矩阵分析：
  • InP: AI 数据中心光互连、自动驾驶 LiDAR。
  • GaAs: 5G 基础设施、智能手机功率放大器、工业激光器。
  • Ge: 航空航天与卫星太阳能电池（提供空间级抗辐射与高光电转换效率）。

模块三：制造工艺与垂直整合供应链（共同主讲）

AXT 的运营高度依赖其供应链的垂直控制。此模块探讨跨国材料公司的制造流程与地缘经济策略。

• 原材料的垂直控制（Backward Integration）： AXT 持有 10 家中国原材料合资企业的股份（例如通过“金美”控制高纯度铟，通过“博宇”生产 pBN 坩埚）。分析这种业务结构如何降低大宗商品价格波动风险并确保关键战略物资的持续供应。
• 跨国产能分布与出口合规： 分析 AXT 在加州弗里蒙特设立研发与行政总部，而在中国北京（北京同美）建立主要晶圆制造基地的跨国运营机制。讨论镓、锗等稀有金属的出口管制审批对季度营收的实际影响，以及企业建立供应链冗余的策略。

模块四：资本运作与深度科技公司扩展（吴恩达主讲）

重资产半导体制造企业的产能扩展必须依赖持续且精确的资本运作。

• 产能扩张的财务模型： 分析 AXT 在 2026 年 4 月完成的 6.325 亿美元大规模融资。探讨这笔资金如何转化为 2026 至 2027 年 InP 产能的连续翻倍计划，并计算设备折旧、良率提升与投资回报率（ROI）之间的数学关系。
• 资本市场与研发融资： 跟踪其子公司北京同美（Tongmei）在科创板（STAR Market）的 IPO 进程，评估跨国材料企业利用不同司法管辖区的资本市场获取扩张资金的财务可行性。